ES3H M6G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | ES3H M6G |
---|---|
Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 500 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 500 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
ES3GTR Microsemi
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A SMB
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ES3H M6GTaiwan Semiconductor Corporation |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|